本发明属于金属 有机框架传感器领域,具体涉及一种采用N P 4 HN@UiO 66 NH2复合材料测定HCHO含量的方法。所述方法包括以下步骤:1)制备N P 4 HN材料;2)制备N P 4 HN@UiO 66 NH2复合材料;3)绘制工作曲线;4)检测。本发明采用的原理如下:N P 4 HN与HCHO相连接时,HCHO禁止N P 4 HN分子内能量转移,进而增强N P 4 HN的在553nm处的荧光,通过内率效应减弱在430nm处的荧光,UiO 66 NH2吸附N P 4 HN使荧光变化更加明显,通过其荧光光谱变化进行测定。本发明的测定方法,具有选择性高、灵敏度高的特点。
本发明属于金属 有机框架传感器领域,具体涉及一种采用N P 4 HN@UiO 66 NH2复合材料测定HCHO含量的方法。所述方法包括以下步骤:1)制备N P 4 HN材料;2)制备N P 4 HN@UiO 66 NH2复合材料;3)绘制工作曲线;4)检测。本发明采用的原理如下:N P 4 HN与HCHO相连接时,HCHO禁止N P 4 HN分子内能量转移,进而增强N P 4 HN的在553nm处的荧光,通过内率效应减弱在430nm处的荧光,UiO 66 NH2吸附N P 4 HN使荧光变化更加明显,通过其荧光光谱变化进行测定。本发明的测定方法,具有选择性高、灵敏度高的特点。